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參數(shù)資料
| 型號： | HY5W2A6CLF-P |
| 英文描述： | SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X2MX16 |的CMOS | BGA封裝| 54PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 20/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | HY5W2A6CLF-P |
HY5W2A6C(L/S)F / HY57W2A1620HC(L/S)T
HY5W26CF / HY57W281620HCT
Rev. 1.2 / Nov. 01
21
AC CHARACTERISTICS II
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note : 1. A new command can be given tRRC after self refresh exit.
Parameter
Symbol
H
P
S
B
Unit Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
tRC
65
-
-
100K
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70
20
-
-
70
30
-
-
90
30
-
-
ns
ns
RAS to CAS Delay
tRCD
20
RAS Active Time
tRAS
45
20
15
1
0
2
5
2
0
2
100K
50
100K
60
100K
ns
-
20
-
20
-
20
-
1
-
1
-
0
-
0
-
1
-
1
-
3
-
3
-
2
-
2
-
0
-
0
-
2
-
2
-
3
-
2
2
1
-
1
-
1
-
1
-
-
64
-
64
RAS Precharge Time
tRP
20
30
20
-
1
0
1
3
2
0
2
3
-
ns
ns
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
RAS to RAS Bank Active Delay
tRRD
CAS to CAS Delay
tCCD
-
-
-
-
-
-
-
-
Write Command to Data-In Delay
tWTL
Data-in to Precharge Command
tDPL
Data-In to Active Command
tDAL
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
DQM to Data-In Mask
tDQM
MRS to New Command
tMRD
Precharge to Data
Output High-Z
CAS Latency=3
tPROZ3
3
3
-
CAS Latency=2
tPROZ2
2
2
1
1
-
tCK
tCK
tCK
1
ns
Power Down Exit Time
tDPE
1
1
-
-
-
64
-
-
64
Self Refresh Exit Time
tSRE
Refresh Time
tREF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5W2A6CLF-S | x16 SDRAM |
| HY5W2A6CSF-H | SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| HY5W2A6CSF-P | x16 SDRAM |
| HY5W2A6CSF-S | SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| HHY5W2A6CLF-B | x16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5W2A6CLF-S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5W2A6CSF-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| HY5W2A6CSF-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5W2A6CSF-S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| HY5W2B6DLF-HE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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