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參數(shù)資料
| 型號： | HY5V66GF |
| 英文描述： | 4Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M |
| 中文描述： | 4Mx16 | 3.3 | 4K的|魔| SDRAM的特別提款權- 64米 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | HY5V66GF |
Rev. 0.4/Nov. 01
9
HY5V62CF
AC CHARACTERISTICS II
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-7
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
RAS cycle time
Operation
tRC
62
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
62
-
70
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
20
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
42
120K
50
120K
ns
RAS precharge time
tRP
20
-
20
-
ns
RAS to RAS bank active delay
tRRD
14
-
20
-
CLK
CAS to CAS delay
tCCD
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
1
-
1
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
4
-
3
-
CLK
DQM to data-out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
CLK
DQM to data-in mask
tDQM
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
1
-
1
-
CLK
Precharge to data
output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V66GF-H | x16 SDRAM |
| HY5V66GF-P | x16 SDRAM |
| HY5W26CF-B | x16 SDRAM |
| HY57W281620HCT-B | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| HY57W281620HCT-H | x16 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5V66GF-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5V66GF-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY5W26CF-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5W26CF-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| HY5W26CF-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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