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參數資料
| 型號： | HY5V66GF-H |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內存 |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | HY5V66GF-H |
Rev. 0.4/Nov. 01
6
HY5V62CF
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz, VDD=3.3V)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(DC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
pF
A0 ~ A10, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, DQM0~3
CI
2
2.5
3.8
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ31
C
I/O
4
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
-1
1
uA
1
Output leakage current
I
LO
-1
1
uA
2
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -2mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V66GF-P | x16 SDRAM |
| HY5W26CF-B | x16 SDRAM |
| HY57W281620HCT-B | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| HY57W281620HCT-H | x16 SDRAM |
| HY57W281620HCT-P | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY5V66GF-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY5W26CF-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5W26CF-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| HY5W26CF-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5W26CF-S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
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