參數(shù)資料
型號(hào)： HY5V26CLF-SI
英文描述： x16 SDRAM
中文描述： x16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： HY5V26CLF-SI
HY5V26C(L/S)F
Rev. 0.9/Oct. 01
11
IBIS SPECIFICATION
I
OH
Characteristics (Pull-up)
I
OL
Characteristics (Pull-down)
Voltage
100MHz
(Min)
100MHz
(Max)
66MHz
(Min)
(V)
I(mA)
I(mA)
I(mA)
3.45
-2.4
3.3
-27.3
3.0
0
-74.1
-0.7
2.6
-21.1
-129.2
-7.5
2.4
-34.1
-153.3
-13.3
2.0
-58.7
-197
-27.5
1.8
-67.3
-226.2
-35.5
1.65
-73
-248
-41.1
1.5
-77.9
-269.7
-47.9
1.4
-80.8
-284.3
-52.4
1.0
-88.6
-344.5
-72.5
0
-93
-502.4
-93
Voltage
100MHz
(Min)
100MHz
(Max)
66MHz
(Min)
(V)
I(mA)
I(mA)
I(mA)
0
0
0
0
0.4
27.5
70.2
17.7
0.65
41.8
107.5
26.9
0.85
51.6
133.8
33.3
1.0
58.0
151.2
37.6
1.4
70.7
187.7
46.6
1.5
72.9
194.4
48.0
1.65
75.4
202.5
49.5
1.8
77.0
208.6
50.7
1.95
77.6
212.0
51.5
3.0
80.3
219.6
54.2
3.45
81.4
222.6
54.9
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Voltage (V)
I
I
OH
Min (66MHz)
66MHz and 100MHz Pull-up
I
OH
Min (100MHz)
I
OH
Max (66 /100MHz)
0
50
100
150
200
250
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Voltage (V)
I
66MHz and 100MHz Pull-down
I
OL
Min (100MHz)
I
OL
Min (66MHz)
I
OL
Max (100MHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5V26CSF-6 x16 SDRAM
HY5V26CSF-6I x16 SDRAM
HY5V26CSF-8I x16 SDRAM
HY5V26CSF-H x16 SDRAM
HY5V26CSF-HI x16 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY5V26CSF 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM
HY5V26CSF-6 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY5V26CSF-6I 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY5V26CSF-8 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY5V26CSF-8I 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*