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參數(shù)資料
| 型號： | HY5MS5B6LF-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 1/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 0.2 / Oct. 2004
1
256MBit MOBILE ddr SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O
Document Title
256MBit (4Bank x 4M x 16bits) MOBILE DDR SDRAM Memory
Revision History
Note
1)
Now under evaluation by the Hynix Development Division.
Revision No.
History
Draft Date
Remark
0.1
Initial Draft
Aug.2004
Preliminary
0.2
Modify IDD Current
Oct.2004
Preliminary
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G831ALFP-C4 | 128M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| HY5PS1G831ALFP-Y5 | 128M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| HY5RS573225AFP-16L | 8M X 32 DDR DRAM, 0.28 ns, PBGA136 |
| HY5V28CF-S | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| HY5V28CLF-S | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5MS7B2BLFP-H | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5N50FT | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5N50T | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5P | 制造商:LEM 制造商全稱:LEM 功能描述:Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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