- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370740 > HY5DV651622T-G55 DDR Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DV651622T-G55 |
| 英文描述： | DDR Synchronous DRAM |
| 中文描述： | DDR同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/27頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | HY5DV651622T-G55 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)當(dāng)前第27頁(yè)
Rev. 0.3/May. 02
27
HY5DV281622AT
10.26 (0.404)
10.05 (0.396)
11.94 (0.470)
11.79 (0.462)
22.33 (0.879)
22.12 (0.871)
1.194 (0.0470)
0.991 (0.0390)
0.65 (0.0256) BSC
0.35 (0.0138)
0.25 (0.0098)
0.15 (0.0059)
0.05 (0.0020)
BASE PLANE
SEATING PLANE
0.597 (0.0235)
0.406 (0.0160)
0.210 (0.0083)
0.120 (0.0047)
0 ~ 5 Deg.
Unit : mm(Inch)
PACKAGE INFORMATION
400mil 66pin Thin Small Outline Package
Note
: Package do not mold protrusion. Allowable protrusion of both sides is 0.4mm.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV651622T-G6 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5PS121623F | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS121623LF | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS12423F | 128Mx4|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV651622T-G6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DW113222FM | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-2 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-22 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。