參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DV641622AT-5
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 64M(4Mx16) DDR SDRAM
中文描述： 4M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 16/27頁(yè)
文件大?。?/td> 276K
代理商： HY5DV641622AT-5
Rev. 0.7/May. 02
16
HY5DV641622AT
7.
Issue 2 or more Auto Refresh commands.
8.
Issue a Mode Register Set command to initialize the mode register with bit A8 = Low.
Power-Up Sequence
/CLK
CLK
VDD
LDQS,
UDQS
DQ’s
MRS
AREF
PRE
NOP
≈
MRS
EMRS
PRE
NOP
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
VDDQ
VREF
CKE
CMD
BA0,BA1
A10
ADDR
LDM,UDM
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
tVTD
T=200usec
tMRD
200 cycles of CK*
tRP
tRFC
Power up
VDD and CK stable
Precharge All
EMRS Set
MRS Set
Reset DLL
(with A8=H)
Precharge All
2 or more
Auto Refresh
MRS Set
(with A8=L)
*200 cycles of CK are required (for DLL locking) before any executable command can be applied.
VTT
tRP
tIS tIH
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PDF描述
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