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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DV281622DT-33 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 16/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | HY5DV281622DT-33 |
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Rev. 0.5 / Aug. 2003
16
HY5DV281622DT
7. Issue 2 or more Auto Refresh commands.
8. Issue a Mode Register Set command to initialize the mode register with bit A8 = Low.
Power-Up Sequence
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
NOP
PRE
MRS
EMRS
PRE
NOP
MRS
AREF
ACT
RD
VDD
VDDQ
VTT
VREF
/CLK
CLK
CKE
CMD
DM
ADDR
A10
BA0, BA1
DQS
DQ'S
LVCMOS Low Level
tIS tIH
tVTD
T=200usec
tRP
tMRD
tRP
tRFC
tMRD
tXSRD*
READ
Non-Read
Command
Power UP
VDD and CK stable
Precharge All
EMRS Set
MRS Set
Reset DLL
(with A8=H)
Precharge All
2 or more
Auto Refresh
MRS Set
(with A8=L)
* 200 cycle(tXSRD) of CK are required (for DLL locking) before Read Command
tMRD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-36 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-4 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-5 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-6 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV641622AT | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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