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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU561622DTP |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR內存（268435456位CMOS雙數(shù)據(jù)速率（DDR）同步DRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 37/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 414K |
| 代理商： | HY5DU561622DTP |
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Rev. 0.1 /May 2004 37
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
10.26 (0.404)
10.05 (0.396)
11.94 (0.470)
11.79 (0.462)
22.33 (0.879)
22.12 (0.871)
1.194 (0.0470)
0.991 (0.0390)
0.65 (0.0256) BSC
0.35 (0.0138)
0.25 (0.0098)
0.15 (0.0059)
0.05 (0.0020)
BASE PLANE
SEATING PLANE
0.597 (0.0235)
0.406 (0.0160)
0.210 (0.0083)
0.120 (0.0047)
0 ~ 5 Deg.
Unit : mm(Inch)
PACKAGE INFORMATION
400mil 66pin Thin Small Outline Package
Note
: Package do not mold protrusion. Allowable protrusion of both sides is 0.4mm.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU561622DTP-H | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-J | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-K | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-L | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-M | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU561622DTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-J | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, DDR, 16M x 16, 66 Pin, Plastic, TSSOP |
| HY5DU561622DTP-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-L | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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