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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU28822DT |
| 英文描述： | 16Mx8|2.5V|4K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
| 中文描述： | 16Mx8 |為2.5V | 4K的|焦耳/米/九龍/高/升| DDR SDRAM內(nèi)存- 128M的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 336K |
| 代理商： | HY5DU28822DT |
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Rev. 0.3 / Dec. 01
10
HY5DU12422T
HY5DU12822T
HY5DU121622T
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS,
/CAS, /WE
DM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU28822T | 16Mx8|2.5V|4K|H/L|DDR SDRAM - 128M |
| HY5DU561622AF | 16Mx16|2.5V|8K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 256M |
| HY5DU561622ALF | 16Mx16|2.5V|8K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 256M |
| HY5DU561622ALT | 16Mx16|2.5V|8K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 256M |
| HY5DU561622AT | 16Mx16|2.5V|8K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 256M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU28822DT-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb-S DDR SDRAM |
| HY5DU28822ETP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| HY5DU28822T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx8|2.5V|4K|H/L|DDR SDRAM - 128M |
| HY5DU323222Q | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32M(1Mx32) DDR SDRAM |
| HY5DU323222Q-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32M(1Mx32) DDR SDRAM |
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