參數(shù)資料
型號(hào): HY5DU12822BLTP-X
廠商: Hynix Semiconductor Inc.
英文描述: 512Mb DDR SDRAM
中文描述: 產(chǎn)品512Mb DDR SDRAM
文件頁(yè)數(shù): 24/37頁(yè)
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代理商: HY5DU12822BLTP-X
Rev. 0.1 / May 2004
24
HY5DU12422B(L)TP
HY5DU12822B(L)TP
HY5DU121622B(L)TP
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note
:
1. VIN = 0 to 2.7V, All other pins are not tested under VIN =0V. 2. DOUT is disabled, VOUT=0 to 2.7V
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-2
2
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-5
5
uA
2
Output High Voltage
V
OH
V
TT
+ 0.76
-
V
I
OH
= -15.2mA
Output Low Voltage
V
OL
-
V
TT
- 0.76
V
I
OL
= +15.2mA
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