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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU12422AT-X |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 產(chǎn)品512Mb DDR SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 29/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 379K |
| 代理商： | HY5DU12422AT-X |
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Rev. 0.0/Feb. 2003 29
HY5DU12422A(L)T
HY5DU12822A(L)T
HY5DU121622A(L)T
AC CHARACTERISTICS I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
DDR400 (D4)
DDR400 (D43)
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Row Cycle Time
tRC
60
-
55
-
ns
Auto Refresh Row Cycle Time
tRFC
70
-
70
-
ns
Row Active Time
tRAS
40
70K
40
70K
ns
Active to Read with Auto Precharge Delay
tRAP
tRCD or
tRASmin
-
tRCD or
tRASmin
-
ns
16
Row Address to Column Address Delay
tRCD
18
-
15
-
ns
Row Active to Row Active Delay
tRRD
10
-
10
-
ns
Column Address to Column Address Delay
tCCD
1
-
1
-
CK
Row Precharge Time
tRP
18
-
15
-
ns
Write Recovery Time
tWR
15
-
15
-
ns
Internal Write to Read Command Delay
tWTR
2
-
2
-
CK
Auto Precharge Write Recovery + Precharge Time
tDAL
(tWR/tCK)
+
(tRP/tCK)
-
(tWR/tCK)
+
(tRP/tCK)
-
CK
15
System Clock Cycle Time
CL = 3
tCK
5
10
5
10
ns
Clock High Level Width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Clock Low Level Width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Data-Out edge to Clock edge Skew
tAC
-0.7
0.7
-0.7
0.7
ns
DQS-Out edge to Clock edge Skew
tDQSCK
-0.55
0.55
-0.55
0.55
ns
DQS-Out edge to Data-Out edge Skew
tDQSQ
-
0.4
-
0.4
ns
Data-Out hold time from DQS
tQH
t
HP
-t
QHS
-
t
HP
-t
QHS
-
ns
1,10
Clock Half Period
tHP
min
(tCL,tCH)
-
min
(tCL,tCH)
-
ns
1,9
Data Hold Skew Factor
tQHS
-
0.5
-
0.5
ns
10
Data-out high-impedance window from CK,/CK
tHZ
tAC(Max)
tAC(Max)
ns
17
Data-out low-impedance window from CK, /CK
tLZ
-0.7
0.7
-0.7
0.7
ns
Input Setup Time (fast slew rate)
tIS
0.6
-
0.6
-
ns
2,3,5,6
Input Hold Time (fast slew rate)
tIH
0.6
-
0.6
-
ns
Input Setup Time (slow slew rate)
t
IS
0.7
-
0.7
-
ns
2,4,5,6
Input Hold Time (slow slew rate)
t
IH
0.7
-
0.7
-
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU12822A | 512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12822ALT-X | 512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12822AT-X | 512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP | 512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP-4 | 512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU12422B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12422BLT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12422BLTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12422BLTP-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12422BT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
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