參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DS573222FP-36
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
中文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 23/28頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： HY5DS573222FP-36
1
HY5DS573222F(P)
Rev. 1.0 / Feb. 2005
23
AC OPERATING CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note :
1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input on /CK.
2. The value of VIX is expected to equal 0.5*V
DDQ
of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to VSS = 0V)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IH(AC)
V
REF
+ 0.35
V
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IL(AC)
V
REF
- 0.35
V
Input Differential Voltage, CK and /CK inputs
V
ID(AC)
0.7
V
DDQ
+ 0.6
V
1
Input Crossing Point Voltage, CK and /CK inputs
V
IX(AC)
0.5*V
DDQ
-0.2
0.5*V
DDQ
+0.2
V
2
Parameter
Value
Unit
Reference Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
Termination Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
AC Input High Level Voltage (V
IH
, min)
V
REF
+ 0.35
V
AC Input Low Level Voltage (V
IL
, max)
V
REF
- 0.35
V
Input Timing Measurement Reference Level Voltage
V
REF
V
Output Timing Measurement Reference Level Voltage
V
TT
V
Input Signal maximum peak swing
1.5
V
Input minimum Signal Slew Rate
1
V/ns
Termination Resistor (R
T
)
50
Series Resistor (R
S
)
25
Output Load Capacitance for Access Time Measurement (C
L
)
30
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DS573222FP-4 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU121622A 512Mb DDR SDRAM
HY5DU121622ALT-X 512Mb DDR SDRAM
HY5DU121622AT-X 512Mb DDR SDRAM
HY5DU12422A 512Mb DDR SDRAM
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參數(shù)描述
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