參數(shù)資料
型號： HY5DS573222F-4
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
中文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144
文件頁數(shù)： 24/28頁
文件大小： 326K
代理商： HY5DS573222F-4
1
HY5DS573222F(P)
Rev. 1.0 / Feb. 2005
24
AC CHARACTERISTICS - I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
28
33
36
4
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Row Cycle Time
t
RC
17
-
15
-
14
-
13
-
CK
Auto Refresh Row Cycle Time
t
RFC
19
-
17
-
16
-
15
-
CK
Row Active Time
t
RAS
10
100K
9
100K
9
100K
8
100K
CK
Row Address to Column Address
Delay for Read
t
RCDRD
6
-
6
-
5
-
5
-
CK
Row Address to Column Address
Delay for Write
t
RCDWR
4
-
3
-
2
-
2
-
CK
Row Active to Row Active Delay
t
RRD
4
-
3
-
3
-
3
-
CK
Column Address to Column Address
Delay
t
CCD
1
-
1
-
1
-
1
-
CK
Row Precharge Time
t
RP
6
-
6
-
5
-
5
-
CK
Write Recovery Time
t
WR
4
-
3
-
3
-
3
-
CK
Last Data-In to Read Command
t
DRL
2
-
2
-
2
-
2
-
CK
Auto Precharge Write Recovery +
Precharge Time
t
DAL
10
-
9
-
8
-
8
-
CK
System Clock Cycle Time
CL=5
t
CK
2.8
10
3.3
10
3.6
10
4
10
ns
CL=4
-
-
-
-
-
-
4
10
Clock High Level Width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Clock Low Level Width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Data-Out edge to Clock edge Skew
t
AC
-0.6
0.6
-0.6
0.6
-0.6
0.6
-0.6
0.6
ns
DQS-Out edge to Clock edge Skew
t
DQSCK
-0.6
0.6
-0.6
0.6
-0.6
0.6
-0.6
0.6
ns
DQS-Out edge to Data-Out edge
Skew
t
DQSQ
-
0.35
-
0.35
-
0.4
-
0.4
ns
Data-Out hold time from DQS
t
QH
tHPmin
-tQHS
-
tHPmin
-tQHS
-
tHPmin
-tQHS
-
tHPmin
-tQHS
-
ns
1,6
Clock Half Period
t
HP
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
ns
1,5
Data Hold Skew Factor
t
QHS
-
0.35
-
0.35
-
0.4
-
0.4
ns
6
Input Setup Time
t
IS
0.75
-
0.75
-
0.75
-
0.75
-
ns
2
Input Hold Time
t
IH
0.75
-
0.75
-
0.75
-
0.75
-
ns
2
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Clock to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.85
1.15
0.85
1.15
0.85
1.15
0.85
1.15
CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DS573222FP 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-28 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-33 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-36 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
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HY5DS573222FP-36 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-4 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(8Mx32) GDDR SDRAM
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