參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DS573222F-36
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
中文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 27/28頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： HY5DS573222F-36
1
HY5DS573222F(P)
Rev. 1.0 / Feb. 2005
27
CAPACITANCE
(T
A
=25
o
C, f=1MHz )
Note :
1. V
DD
= min. to max., V
DDQ
= 2.3V to 2.7V, V
O
DC = V
DDQ
/2, V
O
peak-to-peak = 0.2V
2. Pins not under test are tied to GND.
3. These values are guaranteed by design and are tested on a sample basis only.
OUTPUT LOAD CIRCUIT
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input Clock Capacitance
CK, /CK
C
CK
1
3
pF
Input Capacitance
All other input-only pins
C
IN
1
3
pF
Input / Output Capacitance
DQ, DQS, DM
C
IO
3
5
pF
V
REF
V
TT
R
T
=50
Zo=50
C
L
=30pF
Output
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DS573222F-4 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-28 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-33 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-36 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY5DS573222F-4 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-28 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(8Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS573222FP-33 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY5DS573222FP-36 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(8Mx32) GDDR SDRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*