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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DS283222BF-36 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 8/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1007K |
| 代理商： | HY5DS283222BF-36 |
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Rev. 1.0 / Feb. 2005
8
1
HY5DS283222BF(P)
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS,
/CAS, /WE
DM(0~3)
ADDR
A8/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1,2
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1,2
Note :
1. Write Mask command masks burst write data with reference to DQS(0~3) and it is not related with read data.
2. DM0 corresponds to the data on DQ0-Q7; DM1 corresponds to the data on DQ8-Q15; DM2 corresponds to the data on DQ16-Q23;
DM3 corresponds to the data on DQ24-Q31.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DS283222BF-4 | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS573222F | 256M(8Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS573222F-28 | 256M(8Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS573222F-33 | 256M(8Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS573222F-36 | 256M(8Mx32) GDDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DS283222BF-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS283222BFP-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS283222BFP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS283222BFP-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS283222BFP-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
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