參數(shù)資料
型號(hào): HY5DS113222FMP-4
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512M(16Mx32) GDDR SDRAM
中文描述: 16M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝: 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù): 28/30頁(yè)
文件大?。?/td> 431K
代理商: HY5DS113222FMP-4
Rev. 0.1 / Oct. 2004
28
HY5DS113222FM(P)
AC CHARACTERISTICS - II
Frequency
CL
tRC
tRFC
tRAS
tRCDRD
tRCDWR
tRP
tDAL
Unit
350MHz (2.8ns)
5
17
19
10
6
4
6
10
tCK
300MHz (3.3ns)
5
15
17
9
6
3
6
9
tCK
275MHz (3.6ns)
5
14
16
9
5
2
5
8
tCK
250MHz (4.0ns)
5 / 4
13
15
8
5
2
5
8
tCK
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