參數(shù)資料
型號： HY5DS113222FMP-28
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M(16Mx32) GDDR SDRAM
中文描述： 16M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144
文件頁數(shù)： 14/30頁
文件大?。?/td> 431K
代理商： HY5DS113222FMP-28
Rev. 0.1 / Oct. 2004
14
HY5DS113222FM(P)
SIMPLIFIED STATE DIAGRAM
Note:
*1.Both of CS0 and CS1 should be enabled in pairs.
*2.Both of CS0 and CS1 should be enabled, individually.
MRS
SREF
SREX
PDEN
PDEX
ACT
AREF
PDEX
PDEN
BST
READ
WRITE
WRITE
WRITEAP
WRITEAP
READ
READAP
READAP
PRE(PALL)
PRE(PALL)
Command Input
Automatic Sequence
IDLE
REFRESH
CHARGE
POWER-UP
POWER APPLIED
*1
DOWN
CHARGE
DOWN
*2
CHARGE
ACTIVE
*2
REFRESH
*2
*2
AUTO
PRE-
SET
POWER
AUTOPRE-
POWER
WRITE
AUTOPRE-
BANK
READ
SELF
P
MODE
REGISTER
WRITE
WITH
READ
WITH
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PDF描述
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HY5DS283222BFP-36 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
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參數(shù)描述
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HY5DS283222BF-28 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM
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