參數(shù)資料
型號(hào)： HY57W2A1620HCLT-P
英文描述： x16 SDRAM
中文描述： x16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 4/24頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： HY57W2A1620HCLT-P
HY5W2A6C(L/S)F / HY57W2A1620HC(L/S)T
HY5W26CF / HY57W281620HCT
Rev. 1.2 / Nov. 01
5
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
2Mbit x 4banks x 16 I/O Low Power Synchronous DRAM
S
Row
Pre
Decoders
Column
pre
Decoders
Extended
Mode
Register
Self refresh
logic & timer
TCSR, PASR
Internal Row
Counter
R
2Mx16 Bank3
2Mx16 Bank2
2Mx16 Bank1
2Mx16 Bank0
R
R
R
Column decoders
Memory
Cell
Array
refresh
Column
Active
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
U/LDQM
Address
Registers
Column Add
Counter
Mode
Register
A
Data Out
Control
Burst
Counter
S
A0
A1
DQ0
DQ15
A11
BA1
BA0
Row
Active
bank select
CAS Latency
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57W2A1620HCLT-S SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC
HY57W2A1620HCST-B x16 SDRAM
HY57W2A1620HCST-H SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC
HY57W2A1620HCST-P x16 SDRAM
HY57W2A1620HCST-S SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY5DS113222FM 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-28 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-33 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-36 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-4 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*