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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V658020BTC-8 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | HY57V658020BTC-8 |
HY57V658020B
Rev. 1.6/Nov. 01
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2
4
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, DQM
CI
2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ7
C
I/O
2
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FM | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-28 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-33 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-36 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-4 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V658020BTC-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx8|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V658020TC-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HY57V658020TC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HY57V658020TC-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HY57V658021 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8Mx8 bit Synchronous DRAM Series |
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