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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V651620BTC-8 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | HY57V651620BTC-8 |
HY57V651620B
Rev. 1.9/Apr.01
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V
Note3
)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
O U T
is disabled, V
O U T
=0 to 3.6
3..VDD(min) of HY57V651620B(L)TC-55/6/7 is 3.135V
Parameter
Pin
S y m b o l
Min
M a x
Unit
Input capacitance
C L K
C
I1
2
4
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, C S, R A S ,
C A S , W E, U D Q M , L D Q M
CI
2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance
D Q 0 ~ D Q 1 5
C
I/O
2
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
M a x
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
u A
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
u A
2
Output High Voltage
V
O H
2.4
-
V
I
O H
= - 4 m A
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= + 4 m A
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V653220BTC | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-10 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-10P | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-5 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-55 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V651620BTC-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4Mx16|3.3V|4K|6/7/75/10P/10S|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V651620TC-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V651620TC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V651620TC-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V651621TC-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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