參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V64820HGTP-55
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 25V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： HY57V64820HGTP-55
HY57V64820HG
Rev. 0.5/Sep. 02
8
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-6
-7
-K
-H
-8
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
t
RC
60
-
62
-
65
-
65
-
68
-
70
-
70
-
ns
Auto
Refresh
t
RRC
60
-
62
-
65
-
65
-
68
-
70
-
70
-
ns
RAS to CAS Delay
t
RCD
18
-
20
-
15
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS Active Time
t
RAS
42
100K
42
120K
45
120K
45
120K
48
120K
50
120K
50
120K
ns
RAS Precharge Time
t
RP
18
-
20
-
15
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
t
RRD
12
-
14
-
15
-
15
-
16
-
20
-
20
-
ns
CAS to CAS Delay
t
CCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In
Delay
t
WTL
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge
Command
t
DPL
2
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-In to Active Command
t
DAL
5
-
4
-
4
-
4
-
4
-
3
-
3
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
t
DQZ
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
t
DQM
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
t
MRD
2
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Precharge to
Data Output Hi-Z
CAS
Latency = 3
t
PROZ3
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
CLK
CAS
Latency = 2
t
PROZ2
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
t
PDE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
t
SRE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
t
REF
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V64820HGTP-6 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-7 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-8 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-H 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-K 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY57V64820HGTP-6 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-7 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-8 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-H 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGTP-K 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*