參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V64820HGLTP-S
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： CAP 0.01UF 50V 20% X7R SMD-0805 TR-7 PLATED-NI/SN
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： HY57V64820HGLTP-S
HY57V64820HG
Rev. 0.5/Sep. 02
7
AC CHARACTERISTICS I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate
Parameter
Symbol
-6
-7
-K
-H
-8
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
System clock
cycle time
CAS
Latency = 3
tCK3
6
1000
7
1000
7.5
1000
7.5
1000
8
1000
10
1000
10
1000
ns
CAS
Latency = 2
tCK2
10
10
7.5
10
10
10
12
ns
Clock high pulse width
tCHW
2.5
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Clock low pulse width
tCLW
2.5
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Access time
from clock
CAS
Latency = 3
tAC3
-
5.4
-
5.4
-
5.4
5.4
-
6
6
-
6
ns
2
CAS
Latency = 2
tAC2
-
6
-
6
-
5.4
6
-
6
-
6
-
8
ns
Data-out hold time
tOH
2.7
-
2.7
-
2.7
-
2.7
-
3
-
3
-
3
-
ns
Data-Input setup time
tDS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Data-Input hold time
tDH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Address setup time
tAS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Address hold time
tAH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CKE setup time
tCKS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
CKE hold time
tCKH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Command setup time
tCS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Command hold time
tCH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CLK to data output in low Z-
time
tOLZ
1
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1
-
1
-
2
-
ns
CLK to data
output in high
Z-time
CAS
Latency = 3
tOHZ3
5.4
5.4
5.4
5.4
6
6
6
ns
CAS
Latency = 2
tOHZ2
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V651620B 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-10 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-10P 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-10S 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-55 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY57V64820HGLT-S 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx8|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 64M
HY57V64820HGT-5 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGT-55 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V64820HGT-6 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*