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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V64820HGLTP-8 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | HY57V64820HGLTP-8 |
HY57V64820HG
Rev. 0.5/Sep. 02
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
2Mbit x 4banks x 8 I/O Synchronous DRAM
S
A0
A1
A11
BA0
BA1
A
Address
Registers
Mode Registers
Row
Pre
Decoders
Column
Pre
Decoders
Column Add
Counter
Row active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
X
Internal Row
counter
DQ0
DQ1
DQ6
DQ7
refresh
Self refresh logic
& timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoders
X
2Mx8 Bank 1
2Mx8 Bank 0
2Mx8 Bank 2
2Mx8 Bank3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V64820HGLTP-H | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLTP-K | CAP 0.01UF 50V 10% X7R SMD-0805 TR-13 PLATED-NI/SN |
| HY57V64820HGLTP-P | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLTP-S | CAP 0.01UF 50V 20% X7R SMD-0805 TR-7 PLATED-NI/SN |
| HY57V651620B | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V64820HGLTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLTP-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLTP-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLTP-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
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