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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V641620ET |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| 中文描述： | 64兆的基礎上同步DRAM一百萬x 4Bank x16的I / O |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | HY57V641620ET |
Rev. 1.5 / Feb. 2005
3
Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)
HY57V641620E(L/S)T(P) Series
PIN ASSIGNMENTS
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
54 Pin TSOPII
400mil x 875mil
0.8mm pin pitch
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V641620ET-5 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ET-6 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ET-7 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ET-H | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ELTP-6 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V641620ET-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ET-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ET-H | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| HY57V641620FTP-6-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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