- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384466 > HY57V641620ET-H (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V641620ET-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/13頁(yè) |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | HY57V641620ET-H |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)當(dāng)前第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)
Rev. 1.5 / Feb. 2005
5
Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)
HY57V641620E(L/S)T(P) Series
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 16 I/ O Synchronous DRAM
Internal Row
Counter
Column
Pre
Decoder
Column Add
Counter
Self refresh
logic & timer
S
Address
Register
Burst
Counter
Mode Register
S
A
Bank Select
Column Active
Row Active
CAS Latency
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
U/LDQM
A0
A1
BA1
BA0
A11
Row
Pre
Decoder
Refresh
DQ0
DQ15
X
X
X
X
Y-Decoder
1Mx16 BANK 0
1Mx16 BANK 1
1Mx16 BANK 2
1Mx16 BANK 3
Memory
Cell
Array
Data Out Control
Pipe Line
Control
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V641620ELTP-6 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ELTP-7 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ELTP-H | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ESTP-5 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V641620ESTP-6 | 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V641620FTP-6-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V641620FTP-6DR-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V641620FTP-7DR-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V641620FTP-H-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V641620FTP-HI-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。