參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V56820BT-P
英文描述： x8 SDRAM
中文描述： x8 SDRAM內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： HY57V56820BT-P
HY57V281620A
Rev. 1.3/Aug. 01
6
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6
Parameter
Pin
Symbol
-6/7/K/H
-8/P/S
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V56820BT-S SDRAM|4X8MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC
HY57V56820CLT 32Mx8|3.3V|8K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M
HY57V56820CT 32Mx8|3.3V|8K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M
HY57V56820HLT 32Mx8|3.3V|8K|75|SDR SDRAM - 256M
HY57V56820HLT-6 x8 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY57V56820BT-S 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V56820CLT 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:32Mx8|3.3V|8K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M
HY57V56820CLT-6 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V56820CLT-8 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V56820CLT-H 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM
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