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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V561620CLT-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | HY57V561620CLT-H |
HY57V561620C(L)T(P)
Rev. 0.5 / June 2004 10
DEVICE OPERATING OPTION TABLE
HY57V561620C(L)T(P)-6
HY57V561620C(L)T(P)-7
HY57V561620C(L)T(P)-K
HY57V561620C(L)T(P)-H
HY57V561620C(L)T-8
HY57V561620C(L)T(P)-P
HY57V561620C(L)T(P)-S
CAS Latency
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3CLKs
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3CLKs
3CLKs
3CLKs
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6CLKs
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3CLKs
3CLKs
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5.4ns
5.4ns
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2.7ns
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9CLKs
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9CLKs
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5.4ns
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2.7ns
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3ns
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3ns
133MHz(7.5ns)
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2CLKs
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3ns
3ns
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6ns
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3ns
3ns
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
66MHz(15ns)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620CLT-K | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-P | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLTP-6 | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V561620CLTP-8 | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HY57V561620CLT-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLTP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLTP-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLTP-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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