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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V561620CLT-6 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | HY57V561620CLT-6 |
HY57V561620C(L)T(P)
Rev. 0.5 / June 2004 3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
4Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM
A1
BA1
Register
Mode Registers
Decoders
Decoders
Counter
Row Active
Active
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Counter
DQ0
DQ1
DQ14
DQ15
& Timer
Pipe Line Control
Bank Select
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
4Mx16 Bank 3
Cell
Array
Y decoders
4Mx16 Bank 0
4Mx16 Bank 1
4Mx16 Bank 2
X
S
A0
A12
BA0
A
Address
Row
Pre
Column
Pre
Column Add
Column
Burst
Internal Row
Self Refresh Logic
I
S
X
Memory
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620CLT-7 | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-H | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-K | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-P | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLTP-6 | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620CLT-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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