參數(shù)資料
型號(hào): HY57V561620BT-SI
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述: 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù): 10/12頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商: HY57V561620BT-SI
HY57V561620B(L)T-I
Rev.1.3 / Apr. 2003 10
DEVICE OPERATING OPTION TABLE
HY57V561620B(L)T-6I
HY57V561620B(L)T-KI
HY57V561620B(L)T-HI
HY57V561620B(L)T-8I
HY57V561620B(L)T-PI
HY57V561620B(L)T-SI
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
166MHz(6ns)
143MHz(7ns)
133MHz(7.5ns)
3CLKs
3CLKs
2CLKs
3CLKs
3CLKs
3CLKs
7CLKs
6CLKs
6CLKs
10CLKs
9CLKs
9CLKs
3CLKs
3CLKs
3CLKs
5.4ns
5.4ns
5.4ns
2.0ns
2.0ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
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3CLKs
2CLKs
2CLKs
3CLKs
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6CLKs
5CLKs
8CLKs
9CLKs
7CLKs
2CLKs
3CLKs
2CLKs
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6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
133MHz(7.5ns)
125MHz(8ns)
100MHz(10ns)
3CLKs
3CLKs
2CLKs
3CLKs
3CLKs
2CLKs
6CLKs
6CLKs
5CLKs
9CLKs
9CLKs
7CLKs
3CLKs
3CLKs
2CLKs
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6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
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tOH
125MHz(8ns)
100MHz(10ns)
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2CLKs
2CLKs
3CLKs
2CLKs
2CLKs
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2CLKs
2CLKs
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6ns
6ns
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2.5ns
2.5ns
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2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
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7CLKs
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2CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
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100MHz(10ns)
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2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
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5CLKs
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7CLKs
6CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
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