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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V561620BLT-6I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | HY57V561620BLT-6I |
HY57V561620B(L)T-I
Rev.1.3 / Apr. 2003 3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
4Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A12
BA0
BA1
A
Address
Register
Mode Registers
Row
Pre
Decoders
Column
Pre
Decoders
Column Add
Counter
Row Active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Internal Row
Counter
DQ0
DQ1
DQ14
DQ15
Self Refresh Logic
& Timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
4Mx16 Bank 3
X
Memory
Cell
Array
Y decoders
X
4Mx16 Bank 0
4Mx16 Bank 1
4Mx16 Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620BLT-8I | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BLT-HI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BLT-KI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BLT-PI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BLT-SI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620BLT-8I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BLT-HI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BLT-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx16|3.3V|8K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
| HY57V561620BLT-KI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BLT-PI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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