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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V283220T-P |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 916K |
| 代理商： | HY57V283220T-P |
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Rev. 0.9 / July 2004
14
HY57V283220(L)T(P) / HY5V22(L)F(P)
11.938(0.4700)
11.735(0.4620)
10.262(0.4040)
10.058(0.3960)
22.327(0.8790)
22.149(0.8720)
5deg
0deg
0.597(0.0235)
0.406(0.0160)
0.210(0.0083)
0.120(0.0047)
1.194(0.0470)
0.991(0.0390)
Unit : mm(inch)
0.150(0.0059)
0.050(0.0020)
0.50(0.0197)
0.21(0.008)
0.18(0.007)
PACKAGE INFORMATION (HY57V283220T(P) Series)
400mil 86pin Thin Small Outline Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V283220TP-5 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-55 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-6 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-7 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-8 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V283220TP-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
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