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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V283220LT-7I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 292K |
| 代理商： | HY57V283220LT-7I |
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Rev. 0.6/Nov. 02
4
HY57V283220T-I / HY5V22F-I
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 32 I/O Synchronous DRAM
X
d
e
co
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S
tate
M
a
ch
in
e
A0
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BA0
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A
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rs
Address
Register
Mode Register
Row
Pre
Decoder
Column
Pre
Decoder
Column Add
Counter
Row Active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Refresh
Counter
DQ0
DQ1
DQ30
DQ31
Self Refresh Logic
& Timer
Pipe Line Control
I/O
B
u
ffer
&
Logic
Bank Select
Se
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AM
P
&
I/O
Ga
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CLK
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CS
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CAS
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DQM2
DQM3
x32 Bank 3
X
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X
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Memory
Cell
Array
Y decoder
X
d
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code
r
1M x32 Bank 0
1M x32 Bank 1
1M x32 Bank 2
1M
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r
Memory
Cell
Array
Y decoder
X
d
e
code
r
1M x32 Bank 0
1M x32 Bank 1
1M x32 Bank 2
1M
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V283220T-6I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| HY57V64420HGLTP-S | 16M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| HY5DU561622DT-6 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| HY5DU561622FTP-4I | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| HY5DU56422ALF-J | 64M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V283220LT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220LT-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220LT-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220LTP-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220LTP-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
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