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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V283220(L)T(P)-S |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4銀行× 1米x 32Bit的同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | HY57V283220(L)T(P)-S |
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Rev. 0.9 / July 2004
7
HY57V283220(L)T(P) / HY5V22(L)F(P)
CAPACITANCE ( HY57V283220T Series)
(TA=25
°
C
,
f=1MHz, VDD=3.3
V)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(DC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
4.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS, WE,
DQM0~3
CI
2
2.5
4.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ31
C
I/O
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
-1
1
uA
1
Output leakage current
I
LO
-1
1
uA
2
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -2mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V283220T | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-5 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-55 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-6 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-7 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V283220LTP-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220LT-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
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