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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V281620HCLT-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | HY57V281620HCLT-H |
HY57V281620HC(L)T
Rev. 0.2/Aug. 01
11
V
DD
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ Minimum V
DD
clamp current
V
DD
(V)
I(mA)
0.0
0.0
0.2
0.0
0.4
0.0
0.6
0.0
0.7
0.0
0.8
0.0
0.9
0.0
1.0
0.23
1.2
1.34
1.4
3.02
1.6
5.06
1.8
7.35
2.0
9.83
2.2
12.48
2.4
15.30
2.6
18.31
V
SS
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
SS
(V)
I (mA)
-2.6
-57.23
-2.4
-45.77
-2.2
-38.26
-2.0
-31.22
-1.8
-24.58
-1.6
-18.37
-1.4
-12.56
-1.2
-7.57
-1.0
-3.37
-0.9
-1.75
-0.8
-0.58
-0.7
-0.05
-0.6
0.0
-0.4
0.0
-0.2
0.0
0.0
0.0
(Referenced to V
DD
)
Minimum V
SS
clamp current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V281620HCST-6I | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCST-7I | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCST-8I | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCST-HI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCST-KI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V281620HCLT-HI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620HCLT-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M |
| HY57V281620HCLT-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCLT-KI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCLT-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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