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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V281620HCLT-7I |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | HY57V281620HCLT-7I |
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HY57V281620A
Rev. 1.3/Aug. 01
6
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6
Parameter
Pin
Symbol
-6/7/K/H
-8/P/S
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V281620HCLT-8 | x16 SDRAM |
| HY57V281620HCLT-8I | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| HY57V281620HCLT-HI | x16 SDRAM |
| HY57V281620HCLT-I | 8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M |
| HY57V281620HCLT-K | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V281620HCLT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCLT-8I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCLT-H | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| HY57V281620HCLT-HI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620HCLT-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M |
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