參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V281620ETP-H
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
中文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： HY57V281620ETP-H
Rev. 1.1 / J an. 2005
3
Synchronous DRAM Memory 128Mbit (8Mx16bit)
HY57V281620E(L)T(P) Series
PIN ASSIGNMENTS
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
54 Pin TSOPII
400mil x 875mil
0.8mm pin pitch
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V281620ELTP-5 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
HY57V281620ELTP-6 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
HY57V281620ELTP-7 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
HY57V281620ET-5 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
HY57V281620HCLT-H 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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HY57V281620FTP-HIDR-C 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY57V281620HCLT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M
HY57V281620HCLT-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
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