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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V281620ALT-PI |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | HY57V281620ALT-PI |
HY57V281620A
Rev. 0.4/Apr.01
8
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
S y m b o l
- K I
- H I
-PI
- S I
Unit
Note
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
R A S Cycle Time
Operation
tRC
60
-
6 5
-
70
-
7 0
-
ns
Auto Refresh
t R R C
60
-
6 5
-
70
-
7 0
-
ns
R A S to C A S Delay
t R C D
15
-
2 0
-
20
-
2 0
-
ns
R A S Active Time
tRAS
45
1 0 0 K
4 5
100K
50
1 0 0 K
5 0
1 0 0 K
ns
R A S Precharge Time
t R P
15
-
2 0
-
20
-
2 0
-
ns
R A S to R A S Bank Active Delay
t R R D
15
-
1 5
-
20
-
2 0
-
ns
C A S to C A S Delay
t C C D
1
-
1
-
1
-
1
-
C L K
Write Command to Data-In Delay
t W T L
0
-
0
-
0
-
0
-
C L K
Data-In to Precharge Command
tDPL
2
-
2
-
2
-
2
-
C L K
Data-In to Active Command
tDAL
4
-
5
-
3
-
4
-
C L K
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
2
-
2
-
C L K
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
0
-
0
-
0
-
C L K
M R S t o N e w C o m m a n d
t M R D
2
-
2
-
2
-
2
-
C L K
Precharge to Data
Output Hi-Z
C A S Latency = 3
t P R O Z 3
3
-
3
-
3
-
3
-
C L K
C A S Latency = 2
t P R O Z 2
2
-
2
-
2
-
2
-
C L K
Power Down Exit Time
t P D E
1
-
1
-
1
-
1
-
C L K
Self Refresh Exit Time
t S R E
1
-
1
-
1
-
1
-
C L K
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
6 4
-
64
-
64
m s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V281620ALT-SI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT-HI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT-KI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT-PI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT-SI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V281620ALT-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620ALT-SI | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M |
| HY57V281620AT-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620AT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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