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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V281620A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4銀行x 2米x 16位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | HY57V281620A |
HY57V281620A
Rev. 0.4/Apr.01
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA= -40 to 85
°
C
, V
D D
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
O U T
is disabled, V
O U T
=0 to 3.6
Parameter
Pin
S y m b o l
-HI
-SI
Unit
Min
M a x
Min
Max
Input capacitance
C L K
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, C S, R A S , CAS ,
W E, U D Q M , L D Q M
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
D Q 0 ~ D Q 1 5
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
M a x
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
u A
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
u A
2
Output High Voltage
V
O H
2.4
-
V
I
O H
= - 4 m A
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= + 4 m A
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V281620ALT-PI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620ALT-SI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT-HI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT-KI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620AT-PI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V281620ALT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M |
| HY57V281620ALT-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620ALT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620ALT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620ALT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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