- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385419 > HY57V161610ET-8 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610ET-8 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | HY57V161610ET-8 |
HY57V161610E
Rev. 0.2 / Aug. 2003
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mx16 Synchronous DRAM
Column Addr.
Latch & Counter
Burst Length
Counter
Refresh
Interval Timer
Refresh
Counter
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
Address
Register
I/O Control
Test Mode
Mode Register
Self Refresh Counter
Column Decoder
Sense AMP & I/O gates
512Kx16
Bank 0
Column Decoder
Sense AMP & I/O gates
512Kx16
Bank 1
RAS
CAS
CS
WE
UDQM
LDQM
CKE
Precharge
Overflow
Column Active
Row Active
Address[0:10]
CLK
BA(A11)
S
R
R
A
R
D
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610ET-10 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-15 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-5 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-55 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V281620A | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610ET-8I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ETP-7 | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| HY57V161610ETP-7I | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V161610ETP-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。