型號: | HY57V161610E |
廠商: | Hynix Semiconductor Inc. |
英文描述: | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
中文描述: | 2銀行x為512k × 16位同步DRAM |
文件頁數(shù): | 11/13頁 |
文件大小: | 181K |
代理商: | HY57V161610E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HY57V161610ET-6 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
HY57V161610ET-7 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
HY57V161610ET-8 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
HY57V161610ET-10 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
HY57V161610ET-15 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HY57V161610ET-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
HY57V161610ET-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
HY57V161610ET-15I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
HY57V161610ET-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |