- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄367346 > HY57V161610DTC 1Mx16|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 16M PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610DTC |
| 英文描述： | 1Mx16|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 16M |
| 中文描述： | 1Mx16 | 3.3 | 4K的| 5 | SDRAM的特別提款權(quán)- 1,600 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | HY57V161610DTC |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)
HY57V281620A
Rev. 1.3/Aug. 01
9
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-6
-7
-K
-H
-8
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
tRC
60
-
65
-
60
-
65
-
68
-
70
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
60
-
65
-
60
-
65
-
68
-
70
-
70
-
ns
RAS to CAS Delay
tRCD
18
-
20
-
15
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS Active Time
tRAS
42
100K
45
100K
45
100K
45
100K
48
100K
50
100K
50
100K
ns
RAS Precharge Time
tRP
18
-
20
-
15
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
tRRD
12
-
14
-
15
-
15
-
16
-
20
-
20
-
ns
CAS to CAS Delay
tCCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
tWTL
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge Command
tDPL
2
-
2
-
2
-
2
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-In to Active Command
tDAL
5
-
5
-
4
-
5
-
4
-
3
-
3
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
tMRD
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Precharge to Data
Output Hi-Z
tPROZ3
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
tPDE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
tSRE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-I | 1Mx16|3.3V|4K|55/6/7/10|SDR SDRAM - 16M |
| HY57V16161TC-10 | x16 SDRAM |
| HY57V16161TC-13 | x16 SDRAM |
| HY57V16161TC-8 | x16 SDRAM |
| HY57V164010ALTC-10 | x4 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-10 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。