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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V161610DTC-I |
| 英文描述： | 1Mx16|3.3V|4K|55/6/7/10|SDR SDRAM - 16M |
| 中文描述： | 1Mx16 | 3.3 | 4K的| 55/6/7/10 | SDRAM的特別提款權(quán)- 1,600 |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | HY57V161610DTC-I |
HY57V281620A
Rev. 1.3/Aug. 01
4
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
2Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A11
BA0
BA1
A
Address
Registers
Mode Registers
Row
Pre
Decoders
Column
Pre
Decoders
Column Add
Counter
Row active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Internal Row
counter
DQ0
DQ1
DQ14
DQ15
refresh
Self refresh logic
& timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
2Mx16 Bank 3
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoders
X
2Mx16 Bank 0
2Mx16 Bank 1
2Mx16 Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V16161TC-10 | x16 SDRAM |
| HY57V16161TC-13 | x16 SDRAM |
| HY57V16161TC-8 | x16 SDRAM |
| HY57V164010ALTC-10 | x4 SDRAM |
| HY57V164010ALTC-12 | x4 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-10 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-15I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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