參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V121620
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述： 4銀行× 8米× 16位同步DRAM
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： HY57V121620
HY57V121620(L)T
Rev.0.3/Dec. 01 5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
-6/K/H
-8/P/S
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A12, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V161610D-I 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-10I 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-I 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-55I 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-6I 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY57V121620LT 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V121620LT-6 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V121620LT-8 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V121620LT-H 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V121620LT-K 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*