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參數(shù)資料
| 型號： | HY51V18163HGJ-6 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit EDO DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | HY51V18163HGJ-6 |
HY51V(S)18163HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Note : Operation at or above absolute Maximum Ratings can adversely affect device reliability
Recommended DC OPERATING CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C)
Note : All voltages are referenced to Vss
The supply voltage with all Vcc pins must be on the same level. The supply voltage with all Vss pins must be on the same level
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Ambient Temperature
T
A
0 ~ 70
o
C
Storage Temperature
T
STG
-55 ~ 125
o
C
Voltage on Any Pin relative to V
ss
V
T
-0.5 ~ Vcc + 0.5
(Max 4.6V)
V
Voltage on V
cc
relative to V
ss
V
cc
-0.5 ~ 4.6
V
Short Circuit Output Current
I
OUT
50
mA
Power Dissipation
P
T
1
W
Parameter
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
cc
3.0
3.3
3.6
V
Input High Voltage
V
IH
2.0
-
V
cc
+ 0.3
V
Input Low Voltage
V
IL
-0.3
-
0.8
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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