參數(shù)資料
型號(hào)： HY51V17805BJC-60
廠商： 廣州運(yùn)達(dá)電子科技有限公司
英文描述： 2M*8-bit CMOS DRAM with Burst EDO
中文描述： 2*8位圖像內(nèi)存突發(fā)江戶
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： HY51V17805BJC-60
HY51V(S)16400HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
8
Fast Page Mode Cycle
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Test Mode Cycle
Self Refresh Cycle (L-Version)
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Fast page mode cyle time
tPC
35
-
40
-
45
-
ns
Fast page mode /RAS pulse width
tRASP
-
100K
-
100K
-
100K
ns
17
Access time from /CAS precharge
tACP
-
30
-
35
-
40
ns
10,18,
20
/RAS hold time from /CAS precharge
tRHCP
30
-
35
-
40
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Fast Page read-modify-write cycle time
tPRWC
76
-
85
-
96
-
ns
Fast page mode read-modify-write cycle
/CAS precharge to /WE delay time
tCPW
53
-
60
-
68
-
ns
15
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Test mode /WE setup time
tWTS
0
-
0
-
0
-
ns
Test mode /WE hold time
tWTH
10
-
10
-
10
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
/RAS pulse width ( self refresh)
tRASS
100
-
100
-
100
-
us
/RAS precharge time ( self refresh)
tRPS
90
-
110
-
130
-
ns
/CAS hold time ( self refresh)
tCHS
-50
-
-50
-
-50
-
ns
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PDF描述
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