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參數(shù)資料
| 型號： | HY29LV160BT-90I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 8/48頁 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | HY29LV160BT-90I |
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8
Rev. 1.2/May 01
HY29LV160
Table 3. HY29LV160 Normal Bus Operations
1
Notes:
1. L = V
, H = V
, X = Don
’
t Care (L or H), D
= Data Out, D
= Data In. See DC Characteristics for voltage levels.
2. Address is A[19:0, -1] in Byte Mode and A[19:0] in Word Mode.
3. DQ[15] is the A[-1] input in Byte Mode (BYTE# = L).
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3
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Z
-
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Table 4. HY29LV160 Bus Operations Requiring High Voltage
1, 2
Notes:
1. L = V
, H = V
, X = Don
’
t Care (L OR H). See DC Characteristics for voltage levels.
2. Address bits not specified are Don
’
t Care.
3. See text and Appendix A for additional information.
4. SA = Sector Address. See Tables 1 and 2.
5. DQ[15] is the A[-1] input in Byte Mode (BYTE# = L).
6. Normal read, write and output disable operations are used in this mode. See Table 3.
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-
g
d
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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