參數(shù)資料
型號: HY29F800BT-90
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8/x16 Flash EEPROM
中文描述: 512K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝: TSOP-48
文件頁數(shù): 39/40頁
文件大?。?/td> 509K
代理商: HY29F800BT-90
39
Rev. 4.2/May 01
HY29F800
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29LV160BT-70 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160BF-12 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160BF-12I 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-90 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160BT-90 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29F800BT-90E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800BT-90I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800TG-12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800TG-12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800TG-12I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM