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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F800BT-70I |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 19/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | HY29F800BT-70I |
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19
Rev. 4.0/Jan. 00
HY29F800
WE# = V
IH
. To initiate a write cycle, CE# and WE#
must be a logical zero while OE# is a logical one.
Power-Up Write Inhibit
If WE# = CE# = V
IL
and OE# = V
IH
during power
up, the device does not accept commands on the
rising edge of WE#. The internal state machine is
automatically reset to the Read mode on power-
up.
Sector Protection
Additional data protection is provided by the
HY29F800’s sector protect feature, described pre-
viously, which can be used to protect sensitive
areas of the Flash array from accidental or unau-
thorized attempts to alter the data.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F800TR-15E | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F002TC-45I | x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TC-55E | x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TC-55I | x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TC-70E | x8 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F800BT-90 | 制造商:Hynix Semi 功能描述: |
| HY29F800BT-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800BT-90I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800TG-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800TG-12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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