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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F400TG55 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512Kx8/256Kx16）5伏只閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | HY29F400TG55 |
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3
Rev. 5.2/May 01
HY29F400
PIN CONFIGURATIONS
Standard
TSOP48
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE#
V
CE#
A0
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE#
V
SS
DQ15/A-1
48
47
46
45
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
RESET#
NC
NC
RY/BY#
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
Reverse
TSOP48
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
48
47
46
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5
6
7
8
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10
11
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19
20
21
22
23
24
1
2
3
4
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY/BY#
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A15
A14
A13
A12
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE#
V
SS
CE#
A16
BYTE#
V
SS
DQ15/A-1
A0
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
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20
21
22
CE#
V
SS
OE#
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
NC
RY/BY#
1
2
3
4
A17
A7
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE#
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET#
WE#
A8
A9
44
43
42
41
P
CONVENTIONS
Unless otherwise noted, a positive logic (active
High) convention is assumed throughout this docu-
ment, whereby the presence at a pin of a higher,
more positive voltage (nominally 5VDC) causes
assertion of the signal. A
‘
#
’
symbol following the
signal name, e.g., RESET#, indicates that the sig-
nal is asserted in a Low state (nominally 0 volts).
Whenever a signal is separated into numbered
bits, e.g., DQ[7], DQ[6], ..., DQ[0], the family of
bits may also be shown collectively, e.g., as
DQ[7:0].
The designation 0xNNNN (N = 0, 1, 2, . . . , 9, A, .
. . , E, F) indicates a number expressed in hexadeci-
mal notation. The designation 0bXXXX indicates a
number expressed in binary notation (X = 0, 1).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F400TG90 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400BG-45 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BG-55 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BG-70 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BG-90 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F400TG-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TG70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TG-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TG90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TG-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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